В работе проанализированы основные причины появления помех при конструировании промышленных систем автоматизации. Систематизированы основные характеристики и свойства помех, определяемые режимами работ, родом токов и напряжения, спектром частоты функционирования используемых аппаратур, методы их локализации и устраненияпаразитных влияний на функционирование элементов и устройств автоматики.

Разработана конструкция скважинного заряда ВВ с использованием кумулятивного эффекта, позволяющая занизить подошву уступа и уменьшить расходы на буровзрывные работы. Расположение в донной части скважины кумулятивной воронки оказывает влияние на интенсивность взрывного разрушения горных пород.

Аннотация: В статье рассмотрено использование перспективных способов получения энергии, которые распространены не так широко, как традиционные, однако представляет интерес из-за выгодности их использования, о направлениях альтернативной энергетики, как ветроэнергетика, гидроэнергетика, гелиоэнергетика. Ключевые слова: альтернативная энергетика, направление, распространение, источник энергии, разработка.

Развитие личности в условиях совместного обучения и воспитания осуществляется путём изменения одних и совершенствования других её качеств. Наша задача, в данной работе, заключается в том, чтобы выяснить, какими средствами иностранного языка, с помощью каких форм и методов обучения и воспитания, можно повлиять на нравственное воспитание личности, чтобы добиться наибольшей эффективности учебно-воспитательного процесса.

Нутқнинг психолингвистик ва экстралингвистик хусусиятлари тадқиқига доир фикрлар илагри сурилади

The article describes student diversity in the multilevel classrooms and the emphasis is placed on the use of effective instructional strategies within differentiated and individualized teaching to address the needs of diverse learner population in the heterogeneous classrooms. In this article, the ways of adapting and using some efficient instructional strategies and techniques are presented and suggested.

Язык как одна из величайших ценностей любого народа является элементом национальной культуры. Процесс преподавания русского языка в современной национальной школе носит не только образовательный характер, но и направлен на воспитание успешной личности, ориентированной на общечеловеческие и национальные ценности.

Все виды литературных жанров имеют определенные признаки, которые делятся на жанрообразующие и дополнительные. Жанрообразующие признаки определяют специфику определѐнного жанра

The central unit of the language is the nominative meaning of the word, which has been thoroughly studied by the present time of the development of the linguistic science and had fundamental research in this area.

Teaching vocabulary as an important factor in learning the language,

Мақолада фразеологик бирликларнинг миллий-маданий ғоялари ҳақида сўз юритилган

The article describes student diversity in the multilevel classrooms and the emphasis is placed on the use of effective instructional strategies within differentiated and individualized teaching to address the needs of diverse learner population in the heterogeneous classrooms. In this article, the ways of adapting and using some efficient instructional strategies and techniques are presented and suggested.

В статье описывается история возникновения приёма «Интеллект-карта», даётся его определение, отмечается область применения, подчёркиваются принципы, свойства и преимущества. Рассмотрена методика использования приёма «Интеллект-карта» на занятиях иностранного языка, представлены примеры.

Во многих ФЕс ИС представляют собой широко употребительное мужское имя. Установлено, что в составе ФЕ [в которых ИС не обнаруживает связи с определенным первичным денотатом] преобладают наиболее распространенные мужские имена.

Проведен сравнительный анализ структурных особенностей пленок высшего силицида марганца, выращенных методом диффузионного легирования монокристаллических подложек кремния парами марганца в запаянной ампуле и проточном кварцевом реакторе при постоянной откачке. Методами растровой электронно-ионной микроскопии и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии показано, что в откаченной ампуле формируется однофазная текстурированная пленка высшего силицида марганца. Изменение условий роста со стационарных (ампула) на квазистационарные (реактор) приводит к формированию поликристаллических островков высшего силицида марганца с наноразмерными включениями фазы моносилицида марганца.

В работе с использованием методов оже-электронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов изучены состав и структура наноразмерных фаз Ga 1 −xNax As, созданных имплантацией ионов натрия в приповерхностную область GaAs. Установлено, что при E 0 = 20 keV толщина эпитаксиального слоя трехкомпонентного соединения составляет 10− 12 nm. При этом формируются трехслойные наносистемыGaAs −Ga0.5 Na0.5As−GaAs.

В работе с использованием методов оже-электронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов изучены состав и структура наноразмерных фаз Ga 1 −xNax As, созданных имплантацией ионов натрия в приповерхностную область GaAs. Установлено, что при E 0 = 20 keV толщина эпитаксиального слоя трехкомпонентного соединения составляет 10− 12 nm. При этом формируются трехслойные наносистемыGaAs −Ga0.5 Na0.5As−GaAs.

Представлены результаты исследования влияния термического и лазерного отжига на профили распределения атомов P и B в Si (111), имплантированных с различной энергией и дозой облучения. Показано, что в результате имплантации ионов с большой дозой и проведения термического и лазерного отжига в приповерхностной области Si (111) удается получить практически равномерное распределение атомов примеси. Поэтапной имплантацией ионов P+ и B+ в разные стороны Si (111) с постепенным уменьшением энергии и дозы облучения получены p–i–n-структуры с управляемой толщиной р- и n-областей, что имеет важное практическое значение при создании различных при-борных структур.

Представлены результаты исследования влияния термического и лазерного отжига на профили распределения атомов P и B в Si (111), имплантированных с различной энергией и дозой облучения. Показано, что в результате имплантации ионов с большой дозой и проведения термического и лазерного отжига в приповерхностной области Si (111) удается получить практически равномерное распределение атомов примеси. Поэтапной имплантацией ионов P+ и B+ в разные стороны Si (111) с постепенным уменьшением энергии и дозы облучения получены p–i–n-структуры с управляемой толщиной р- и n-областей, что имеет важное практическое значение при создании различных при-борных структур

Авторами разработан способ дополнительной очистки поверхности монокристаллов полупроводников, который заключается в предварительной очистке образцов термическим прогревом в сочета нии или без ионного травления в сверхвысоком вакууме, с последующей имплантацией низкоэнер- гетическими ионами Ва+ (или других щелочных элементов) и затем их удалении кратковременным (1 мин) высокотемпературным (Т = 1550 K) термическим прогревом. Эффект дополнительной очистки достигается за счет того, что внедренные ионы Ва + и щелочные элементы, являясь активными, образуют соединения с атомами примесей (О, С, S, N и др.) и удаляются при высокотемпературном прогреве.