В работе с использованием методов оже-электронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов
изучены состав и структура наноразмерных фаз Ga
1 −xNax As, созданных имплантацией ионов натрия
в приповерхностную область GaAs. Установлено, что при E
0 = 20 keV толщина эпитаксиального слоя
трехкомпонентного соединения составляет 10−
12 nm. При этом формируются трехслойные наносистемыGaAs
−Ga0.5 Na0.5As−GaAs.