Состав и структура наноразмерных слоев Ga 1−xNax As, созданныхв приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na +

Состав и структура наноразмерных слоев Ga 1−xNax As, созданныхв приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na +
Daraja:
Oliy ta`lim
Turi:
Maqola
Til:
Rus tilida
Yaratilan vaqti:
2021-04-20 00:31:38
В работе с использованием методов оже-электронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов изучены состав и структура наноразмерных фаз Ga 1 −xNax As, созданных имплантацией ионов натрия в приповерхностную область GaAs. Установлено, что при E 0 = 20 keV толщина эпитаксиального слоя трехкомпонентного соединения составляет 10− 12 nm. При этом формируются трехслойные наносистемыGaAs −Ga0.5 Na0.5As−GaAs.

Дабавлено : 2021-04-20 00:31:38

Этот категорий

Ўзбекистонда демократик жамият қуриш назарияси ва амалиёти

Бухгалтерский учет и аудит

Қарақалпақ тилинде теңлес еки компонентли фразеологизмлер oқыў - методикалық қолланба

Ижтимоий-маданий фаолиятда сценарийчилик

Озиқ-овқат маҳсулотлари технологияси

Новый

Жиззах вилоятида туристик дестинацияларни ташкил этишнинг ҳудудий жиҳатлари

Таълим муассасаси раҳбарининг бошқарув фаолиятида соғлом ва ижодий муҳитни яратиш механизмларини такомиллаштириш

Ишлаб чиқариш таълими усталарининг касбий компетентлигини ривожлантириш

Eliptik qismi yuqori tartibli bo`lgan kasr tartibli xususiy hosilali differensial tenglamalar uchun to`g`ri va teskari masalalar

Саноат корхоналари ривожланишининг инновацион стратегияларини такомиллаштириш