Исследование влияния термического и лазерного отжига на профили распределения атомов в si (111), имплантированном ионами p+ и b+

Представлены результаты исследования влияния термического и лазерного отжига на профили распределения атомов P и B в Si (111), имплантированных с различной энергией и дозой облучения. Показано, что в результате имплантации ионов с большой дозой и проведения термического и лазерного отжига в приповерхностной области Si (111) удается получить практически равномерное распределение атомов примеси. Поэтапной имплантацией ионов P+ и B+ в разные стороны Si (111) с постепенным уменьшением энергии и дозы облучения получены p–i–n-структуры с управляемой толщиной р- и n-областей, что имеет важное практическое значение при создании различных при-борных структур.