Способ дополнительной очистки поверхности монокристалла Si (111)

Способ дополнительной очистки поверхности монокристалла Si (111)
Daraja:
Oliy ta`lim
Turi:
Maqola
Til:
Rus tilida
Yaratilan vaqti:
2021-04-20 00:31:18
Авторами разработан способ дополнительной очистки поверхности монокристаллов полупроводников, который заключается в предварительной очистке образцов термическим прогревом в сочета нии или без ионного травления в сверхвысоком вакууме, с последующей имплантацией низкоэнер- гетическими ионами Ва+ (или других щелочных элементов) и затем их удалении кратковременным (1 мин) высокотемпературным (Т = 1550 K) термическим прогревом. Эффект дополнительной очистки достигается за счет того, что внедренные ионы Ва + и щелочные элементы, являясь активными, образуют соединения с атомами примесей (О, С, S, N и др.) и удаляются при высокотемпературном прогреве.

Дабавлено : 2021-04-20 00:31:18

Этот категорий

Ўзбекистонда демократик жамият қуриш назарияси ва амалиёти

Бухгалтерский учет и аудит

Қарақалпақ тилинде теңлес еки компонентли фразеологизмлер oқыў - методикалық қолланба

Ижтимоий-маданий фаолиятда сценарийчилик

Озиқ-овқат маҳсулотлари технологияси

Новый

Жиззах вилоятида туристик дестинацияларни ташкил этишнинг ҳудудий жиҳатлари

Таълим муассасаси раҳбарининг бошқарув фаолиятида соғлом ва ижодий муҳитни яратиш механизмларини такомиллаштириш

Ишлаб чиқариш таълими усталарининг касбий компетентлигини ривожлантириш

Eliptik qismi yuqori tartibli bo`lgan kasr tartibli xususiy hosilali differensial tenglamalar uchun to`g`ri va teskari masalalar

Саноат корхоналари ривожланишининг инновацион стратегияларини такомиллаштириш