Авторами разработан способ дополнительной очистки поверхности монокристаллов полупроводников, который заключается в предварительной очистке образцов термическим прогревом в сочета нии или без ионного травления в сверхвысоком вакууме, с последующей имплантацией низкоэнер-
гетическими ионами Ва+ (или других щелочных элементов) и затем их удалении кратковременным (1 мин) высокотемпературным (Т = 1550 K) термическим прогревом. Эффект дополнительной очистки достигается за счет того, что внедренные ионы Ва + и щелочные элементы, являясь активными, образуют соединения с атомами примесей (О, С, S, N и др.) и удаляются при высокотемпературном прогреве.