Состав и структура наноразмерных слоев Ga 1−xNax As, созданныхв приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na +

Состав и структура наноразмерных слоев Ga 1−xNax As, созданныхв приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na +
Daraja:
Oliy ta`lim
Turi:
Maqola
Til:
Rus tilida
Yaratilgan vaqti:
2021-04-20 00:31:45
В работе с использованием методов оже-электронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов изучены состав и структура наноразмерных фаз Ga 1 −xNax As, созданных имплантацией ионов натрия в приповерхностную область GaAs. Установлено, что при E 0 = 20 keV толщина эпитаксиального слоя трехкомпонентного соединения составляет 10− 12 nm. При этом формируются трехслойные наносистемыGaAs −Ga0.5 Na0.5As−GaAs.

Дабавлено : 2021-04-20 00:31:45

Этот категорий

Pythonda matematik hisoblashlarni dasturlash

Nazariy mexanika

Nazariy mexanika

Fundamentals of scientific research and innovation

Oila tibbiyoti

Новый

Жиззах вилоятида туристик дестинацияларни ташкил этишнинг ҳудудий жиҳатлари

Таълим муассасаси раҳбарининг бошқарув фаолиятида соғлом ва ижодий муҳитни яратиш механизмларини такомиллаштириш

Ишлаб чиқариш таълими усталарининг касбий компетентлигини ривожлантириш

Eliptik qismi yuqori tartibli bo`lgan kasr tartibli xususiy hosilali differensial tenglamalar uchun to`g`ri va teskari masalalar

Саноат корхоналари ривожланишининг инновацион стратегияларини такомиллаштириш