This course provides an introduction to language teaching methodology which explores language teaching methods and recent methodological innovations.

Modern English is the language of many big countries in the world, as Great Britain, the USA- official language in Australia New Zealand and Canada

Ҳозирги кунда ҳар бир соҳада янгиликлар яратилмоқда, шу жумладан таълим соҳаси ҳам бундан мустасно эмас

Таълим сифати тушунчасига берилган таърифларнинг мазмунини ўрганиш ушбу атама жуда ҳам кенг қамровли бўлиб, унинг даражасига жуда кўплаб омиллар таъсир этишини кўриш мумкин

Во многих ФЕс ИС представляют собой широко употребительное мужское имя. Установлено, что в составе ФЕ [в которых ИС не обнаруживает связи с определенным первичным денотатом] преобладают наиболее распространенные мужские имена.

заключается в потребности производственных предприятий Узбекистана и в целом всего металлургического комплекса мира в высокоэффективной технологии процесса плавки обеспечивающей снижения температуры отходящих продуктов сгорания в атмосферу. Данная тема “Разработать технологию снижения температуры отходящих в природную атмосферу продуктов сгорания газовых плавильных агрегатов” работа выполнена с целью обеспечения минимальных температур отходящих в атмосферу продуктов сгорания.

заключается в потребности производственного объединения акционерного общества “Алмалыкский ГМК” в производстве медных сплавов. Для получения качественной структуры с необходимыми механическими свойствами обеспечивающих высокую производительность и долговечность сплава необходимо разработать эффективный метод ведения плавки.

Mamlakatimizning barchaissiqlik elektr stansiyalarida, issiqlik elektr markazlarida, havoni isitish va shamollatish tizimlarida, kimyo sanoatida, neftni qayta ishlash sanoatida, oziq-ovqat sanoatida, issiq suv ta’minoti va isitish tizimlarida, metallurgiya va kriogen texnikalarda foydalanib kelinayotgan issiqlik almashinish apparatlari uchun energiyadan oqilona foydalanish va unga bo’lgan ehtiyojini optimal variantda kamaytirish.

ugungi kunga kelib butun jahonda ekologiya dolzarb masala bo’lganligi sababli split konditsionerlarini ozon qatlamiga xavfsiz, ekologik toza sovutish agentlariga o’tkazish va ular ustida tadqiqotlar o’tkazishni maqsad qilib oldik.

1. Рассчитать теплофизические свойства углеводородной смеси пропан-бутан состава 40/60 % на базе “базовой системы обобщенных уравнений для расчета и прогнозирования термодинамических свойств хладагентов. 2. Получены энергетические характеристики 2-х ступенчатых холодильных машин работающей на хладагенте пропан-бутан (40/60 %).

Целью работы являлось обоснование возможности практической реализации металл-углеродных композиционных материалов, упрочненных углеродными наноструктурами, методом их непосредственного осаждения на поверхности металлических порошков, анализ структуры и свойств получаемых композитов.

Проведен сравнительный анализ структурных особенностей пленок высшего силицида марганца, выращенных методом диффузионного легирования монокристаллических подложек кремния парами марганца в запаянной ампуле и проточном кварцевом реакторе при постоянной откачке. Методами растровой электронно-ионной микроскопии и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии показано, что в откаченной ампуле формируется однофазная текстурированная пленка высшего силицида марганца. Изменение условий роста со стационарных (ампула) на квазистационарные (реактор) приводит к формированию поликристаллических островков высшего силицида марганца с наноразмерными включениями фазы моносилицида марганца.

В работе с использованием методов оже-электронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов изучены состав и структура наноразмерных фаз Ga 1 −xNax As, созданных имплантацией ионов натрия в приповерхностную область GaAs. Установлено, что при E 0 = 20 keV толщина эпитаксиального слоя трехкомпонентного соединения составляет 10− 12 nm. При этом формируются трехслойные наносистемыGaAs −Ga0.5 Na0.5As−GaAs.

В работе с использованием методов оже-электронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов изучены состав и структура наноразмерных фаз Ga 1 −xNax As, созданных имплантацией ионов натрия в приповерхностную область GaAs. Установлено, что при E 0 = 20 keV толщина эпитаксиального слоя трехкомпонентного соединения составляет 10− 12 nm. При этом формируются трехслойные наносистемыGaAs −Ga0.5 Na0.5As−GaAs.

Представлены результаты исследования влияния термического и лазерного отжига на профили распределения атомов P и B в Si (111), имплантированных с различной энергией и дозой облучения. Показано, что в результате имплантации ионов с большой дозой и проведения термического и лазерного отжига в приповерхностной области Si (111) удается получить практически равномерное распределение атомов примеси. Поэтапной имплантацией ионов P+ и B+ в разные стороны Si (111) с постепенным уменьшением энергии и дозы облучения получены p–i–n-структуры с управляемой толщиной р- и n-областей, что имеет важное практическое значение при создании различных при-борных структур.

Представлены результаты исследования влияния термического и лазерного отжига на профили распределения атомов P и B в Si (111), имплантированных с различной энергией и дозой облучения. Показано, что в результате имплантации ионов с большой дозой и проведения термического и лазерного отжига в приповерхностной области Si (111) удается получить практически равномерное распределение атомов примеси. Поэтапной имплантацией ионов P+ и B+ в разные стороны Si (111) с постепенным уменьшением энергии и дозы облучения получены p–i–n-структуры с управляемой толщиной р- и n-областей, что имеет важное практическое значение при создании различных при-борных структур

Авторами разработан способ дополнительной очистки поверхности монокристаллов полупроводников, который заключается в предварительной очистке образцов термическим прогревом в сочета нии или без ионного травления в сверхвысоком вакууме, с последующей имплантацией низкоэнер- гетическими ионами Ва+ (или других щелочных элементов) и затем их удалении кратковременным (1 мин) высокотемпературным (Т = 1550 K) термическим прогревом. Эффект дополнительной очистки достигается за счет того, что внедренные ионы Ва + и щелочные элементы, являясь активными, образуют соединения с атомами примесей (О, С, S, N и др.) и удаляются при высокотемпературном прогреве.

O’quv qo’llanmaning maqsadi talabalarda mashinasozlikda qo’llaniladigan mеtall va nomеtall matariallarning tuzilishi, xossalari; temir-uglerod qotishmalari; po`latga termik ishlov berish; qora va rangli metallar mexnologiyasi; quymakorlik; metallarga bosim ostida ishlov berish; metallarni sinash uslublari va nometall konstruktsion materiallar , eng yaxshi tеxnologik usullrni tanlash usulari bo’yicha yo’nalishlar profiliga mos bilim, ko’nikma va malakani shakillantirishdan iboratdir

Qum-gilli qolipda va maxsus usullar yordamida quymani tayyorlab olish texnologiyasi asoslari, quyish tizimini loyixalash, quymakorlik metallurgiyasining asosiy prinsiplari, metodlari va quymani texnologiyasini loyihalash asoslari yoritilgan. Quymakorlik texnologiyalari sohasi bakalavrlari va magistrlari uchun foydali.

Bu ma’ruza matnida payvand birikmalarni mustaxkamlikka xisoblash usullari, kuchlanishlar, deformatsiyalar, metall konstruksiyalarni loyihalash, mashinasozlik buyumlari va metal konstruksiyalarni ishlab chiqarish masalalari to`liq hajmda berilgan.