Мақола тўқимачилик саноатини ривожлантиришда тўқув дастгоҳларини тўгри танлаш, уларнинг дизайни ва ҳажмини оптималлаштириш каби масалаларга багишланган.

Muqobil energiya manbalaridan keng foydalanish har bir mamlakatning ustuvor maqsadlari hamda energetika havfsizligi vazifalariga muvofiq keladi va energetika sohasining jadal rivojlanayotgan yo’nalishlaridan hisoblanadi.

Интенсивность развития рекламного рынка, значимость рекламы в информационной среде общества обусловливают научный интерес к этому феномену. В последние годы отмечается появление большого количества научной литературы по проблемам, связанным с рекламой как областью человеческой деятельности и предметом гуманитарного знания. Контент-анализ позволяет выделить сложившиеся приоритетные направления научных исследований: продолжается работа по терминологическому обеспечению - формируется рекламная лексикография.

Ушбу мацола маиший техника воситаларининг вужудга келиши, шаклланиши ва такомиллашиб боришига багишланган.

Istiqlol yillarida yurtimizda barcha sohalarda ko’plab ijobiy yutuqlarga erishildi. Jumladan, sanoat dizayni sohasi ham takomillashib bormoqda. Dizaynerlar interyer yoritish uskunalari bo’yicha ko’plab g’oyalar va uslubiy yechimlarni taklif qiladilar. Shuni takidlash joizki, bino interyerlarida har bir detal alohida ahamiyatga ega. Misol tariqasida yorug’lik jihozlari elementlari, yagona makonni yagona jonli organizmni estetik ruhda takidlaydi. Biz taklif et ayotgan BRA dekorativ elementi bezaklari milliy ruhda ishlangan.

В данной статье анализируются проблемы связанные с транспортной инфраструктурой и другими связанными с ней областями, а также возможные способы их решения в ближайшем будущем.

Ushbu maqola O`zbekistonda mebel sanoatining rivojlanish bosqichlariga bag`ishlangan bo`lib, unda transfor- matsiyalanadigan yumshoq mebellar dizaynini takomillashtirish masalalari ko`rib chiqilgan.

В принципе ионные микро зондовые анализаторы выпускаютсякрупными производителями экспериментальных установок, таких как CAMECATOF- SIMSIVи другие. Поскольку нынешний год – был объявлен нашим президентом годом «поддержки – предпринимательства, инновационных идей и технологий », исходя из этого в кафедре «Технология производство электронной аппаратуры» разрабатываются различные инновационные идеи. Одной из этих инновационных идей является – переоснащения существующей экспериментальной установки – действующей в настоящий момент в Институте ионной- плазмы и лазерной технологии им. У.А. Арифова АН РУз . Это позволяет нам получать более достоверные, быстрые и надежные результаты в считанные промежутки времени. Таким образом мы можем достичь уровень экспериментальных результатов – мирового уровня. В современном этапе развития технологии ВИМС выделяется своеобразными особенностями.

В настоящее время большое внимание уделяется наноразмерным структурам на основе Si, основное преимущество которых связано с хорошо развитой технологией изготовления интегральных микросхем. Фторид кальция (CaF2) – кристаллический диэлектрик, успешно выращиваемый в виде тонких пленок на подложках кремния ориентации (111) благодаря близости постоянных решетки. Такие пленки могут быть использованы в качестве барьерных слоев в резонансно-туннельных диодах и сверхрешетках, а также служить в качестве диэлектрика в полевых транзисторах – как чисто кремниевых, так и на основе новых органических полупроводников.

Одно из перспективных направлений опто-, микро- и наноэлектроники – создание на поверхности полупроводниковых материалов нанопленок и отдельных нанокристаллических фаз [1 – 3]. При этом немаловажное значение имеют однотипность и близость параметров кристаллической решетки матрицы и наноматериала, что в определенных условиях дает возможность получить однородные и регулярно расположенные на поверхности нанокристаллические фазы.

Структурные свойства ионно-имплантированных полупроводников широко исследованы различными группами с помощью таких методов исследования, как дифракция медленных электронов, фотоэлектронная спектроскопия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия электронная оже – спектроскопия, просвечивающая электронная микроскопия, дифракция быстрых электронов, рассяние ионов средних энергии, сканирующая туннельная микроскопия.

В современном этапе развития технологии ВИМС выделяется своеобразными особенностями . Прежде всего нужно отметит, что наличия такого мощного прибора как микрозондового анализатора позволяет исследовать материалов, с различной стехиометрией. Использования современных достижений микроэлектроники – таких как микропроцессорная управления различными техническими процессами позволяет улучшить качество проводимых научных исследований, а также уменьшает время затрачиваемый для осуществления научного эксперимента. С этой точки зрения наша установка дает возможность проводит – экспериментальную работу на высшем уровне. Воспользовавшись этими возможностями мы будем усовершенствовать ВИМС установку . Будут проводится – профильный анализ по атомным слоям кристалла. Одновременно можно будет проводит – масс и энерго-анализ.

В настоящее время хорошо изучено влияние бомбардировки электронами, нейтронами и ионами инертных газов высокой энергии на состав поверхности диэлектрических пленок [1 – 4]. В частности, установлено [1], что бомбардировка SiO2 ионами Ar+ приводит к разрыву связей Si – O, десорбции кислорода и появлению “свободного” кремния на поверхности. Однако электронная структура системы SiO2 с нанокристаллами Si и ее зависимость от размеров нанокристаллических фаз до конца не изучены, пленка SiO2, получена термическим окислением Si (111) в атмосфере сухого кислорода при температуре  1250 К. Толщина пленки SiO2 составляла  60 нм.

В последнее время всѐ бурно развивается новая область – микроэлектроники, так называемая – нанотехнология. Нанотехнологии привлекают внимание инженеров, химиков, физиков, экономистов и специалистов других областей в связи с большими перспективами их ожидаемого развития, а также объемами ресурсов, выделяемых для их развития ведущими индустриальными странами. Вместе с тем наряду с уверенностью, что нанотехнологии являются одним из ключевых направлений технического прогресса.

Представлены результаты исследования распределения интенсивности красного луча гелиево-неонового лазера в двухмодовой оптической кабели. Показано, что формы интенсивностей мод LP01 и LP02 напоминают гауссово распределение со строгим пиком в самом центре волокна, а форма моды LP11 хотя по краям волокна напоминает гауссово распределение, однако внутри него имеет синусообразную картину, причем, в отличие от мод LP01 и LP02, в самом центре волокна интенсивность практически равна нулю. Отсюда следует, что если по данному волокну красный луч гелиево-неонового лазера использовать в целях передачи, обработки и приема сигналов, то несущие сигнал моды LP01 и LP11 можно использовать одновременно, а моды LP01 и LP02 смешивать, т.е. использовать одновременно не рекомендуется.

Представлены результаты исследования распределения интенсивности красного луча гелиево-неонового лазера в двухмодовой оптической кабели. Показано, что формы интенсивностей мод LP01 и LP02 напоминают гауссово распределение со строгим пиком в самом центре волокна, а форма моды LP11 хотя по краям волокна напоминает гауссово распределение, однако внутри него имеет синусообразную картину, причем, в отличие от мод LP01 и LP02, в самом центре волокна интенсивность практически равна нулю. Отсюда следует, что если по данному волокну красный луч гелиево-неонового лазера использовать в целях передачи, обработки и приема сигналов, то несущие сигнал моды LP01 и LP11 можно использовать одновременно, а моды LP01 и LP02 смешивать, т.е. использовать одновременно не рекомендуется.

В последнее время большое внимание уделяется исследованиям в области нанотехнологий. Это, в первую очередь, связано с потребностью в создании миниатюризированного оборудования, необходимого в различных областях оптоэлектроники и лазерной физики. Следует отметить, что наноструктурные материалы определяют новый класс, отличный как от обычных объемных материалов, так и от атомов. Малые размеры приборов, созданных на их основе, высокая эффективность и скорость оперирования, определяет одно из основных и приоритетных направлений науки и технологий.

Известно, что фотоны при попадании на поверхность тел будут взаимодействовать с ними на атомарном уровне. Это проявляется особенно сильно при попадании лучей на вещества, имеющие кристаллическую структуру. Под влиянием таких структур, в частности, происходит явление фотоэффекта: вырывание электронов с атомов, расположенных на узлах кристаллической решетки. Впоследствии эти атомы превращаются в положительно заряженные ионы. Описание состояния этих ионов производится, как правило, решением уравнения Шредингера, представляя их как обыкновенные осцилляторы.

Представлены результаты экспериментов, проведенных на зеркально-концентрирующих системах Большой Солнечной Печи мегаваттной мощности в городе Паркенте Ташкентской области по изучению эффективности преобразования солнечных лучей на вторичную гармонику с применением одноосного кристалла ниобата бария-натрия. Показано, что для накачки Nd:YAG лазера, вместо обычных источников электрической энергии, можно использовать сконцентрированные солнечные лучи.

Sonli hisoblashlar yordamida, Qisqa lazer impulsining nanozarachali kukunli argon gazidagi garmonikalari tahlil qilindi. Bunda gaz ionlanishi va yuqori tartibli dispersion effektlarning ushbu garmonika paydo bo`lishidagi roli o`rganildi. Izlanishning asosiy urg`usi nochiziqli optik effektlar va muhit ionlanishi bo`lgan jarayonlarda samaradorlikka qanday ta`sir etishiga qaratildi.