Структурные свойства ионно-имплантированных полупроводников широко исследованы различными группами с помощью таких методов исследования, как дифракция медленных электронов, фотоэлектронная спектроскопия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия электронная оже – спектроскопия, просвечивающая электронная микроскопия, дифракция быстрых электронов, рассяние ионов средних энергии, сканирующая туннельная микроскопия.