Электронные свойства поверхности sIo2/sI имплантированных ионами Ar+

В настоящее время хорошо изучено влияние бомбардировки электронами, нейтронами и ионами инертных газов высокой энергии на состав поверхности диэлектрических пленок [1 – 4]. В частности, установлено [1], что бомбардировка SiO2 ионами Ar+ приводит к разрыву связей Si – O, десорбции кислорода и появлению “свободного” кремния на поверхности. Однако электронная структура системы SiO2 с нанокристаллами Si и ее зависимость от размеров нанокристаллических фаз до конца не изучены, пленка SiO2, получена термическим окислением Si (111) в атмосфере сухого кислорода при температуре  1250 К. Толщина пленки SiO2 составляла  60 нм.