В настоящее время большое внимание уделяется наноразмерным структурам на основе Si, основное преимущество которых связано с хорошо развитой технологией изготовления интегральных микросхем. Фторид кальция (CaF2) – кристаллический диэлектрик, успешно выращиваемый в виде тонких пленок на подложках кремния ориентации (111) благодаря близости постоянных решетки. Такие пленки могут быть использованы в качестве барьерных слоев в резонансно-туннельных диодах и сверхрешетках, а также служить в качестве диэлектрика в полевых транзисторах – как чисто кремниевых, так и на основе новых органических полупроводников.