Битирув малакавий ишнинг мақсади кристалл такомиллашган янги Si тагликларда суюқ фазадан устирилган (Si2)1-x(GaP)x, (Si2)1-x(GaAs)x, (Ge2)1-x(GaAs)x, (Ge2)1-x(InP)x, ва (Ge2)1-x(ZnSe)x, (Si2)1-x(ZnS)x, (Si2)1-x(ZnSe)x ўрин алмашинувчи қаттиқ қоришмаларни олиш, уларнинг монокристаллигига эришиш, электрофизик ва фотоэлектрик параметрларини аниқлаш.