В статье рассматривается возможность использования CIGS технологии в качестве альтернативного источника энергии для преобразования солнечной энергии, а также его параметры и преимущества.

Как известно в кремний, легированным элементом, переходных групп, в частности марганец, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1-2]. Получение тонких слоев в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной представляет большой интерес как с точки зрения технологии, так и для создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются легирующие примеси элементов переходных групп, в частности марганец. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентраций диффузионным методом является невозможным из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования.

Как известно в кремний, легированным элементом, переходных групп, в частности марганец, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1-2]. Получение тонких слоев в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной представляет большой интерес как с точки зрения технологии, так и для создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются легирующие примеси элементов переходных групп, в частности марганец. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентраций диффузионным методом является невозможным из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования.

Как известно в кремний, легированным элементом, переходных групп, в частности марганец, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1-2]. Получение тонких слоев в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной представляет большой интерес как с точки зрения технологии, так и для создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются легирующие примеси элементов переходных групп, в частности марганец. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентраций диффузионным методом является невозможным из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования.

The Strategies of Modern Science Development: Proceedings of the XIV International scientific–practical conference. North Charleston, USA, 8-9 February 2018. - North Charleston: CreateSpace, 2018. - 76 p. The materials of the conference have presented the results of the latest research in various fields of science. The collection is of interest to researchers, graduate students, doctoral candidates, teachers, students - for anyone interested in the latest trends of the world of science.

Как известно, в кремнии, легированным элементом переходных групп, в частности железом, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1, 3]. Получения тонких слоёв имплантированных атомов в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной важно, в частности, для технологий создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются введение примесей элементов переходных групп, в частности железа. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентрацией диффузным методом невозможно из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования. Так как примеси Fe в Si могут находиться как в узлах, так и междоузлиях кристаллической решётки и взаимодействовать с дефектами решётки, то распределение их при ионной имплантации и механизм их активации представляют определённый интерес. Однако в литературе практически отсутствуют работы, посвящённые ионной имплантации и исследованию профиля распределения по глубине железа в кремнии. Целью настоящих исследований является изучение профилей распределения имплантированных атомов железа в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига.

Как известно, в кремнии, легированным элементом переходных групп, в частности железом, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1, 3]. Получения тонких слоёв имплантированных атомов в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной важно, в частности, для технологий создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются введение примесей элементов переходных групп, в частности железа. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентрацией диффузным методом невозможно из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования. Так как примеси Fe в Si могут находиться как в узлах, так и междоузлиях кристаллической решётки и взаимодействовать с дефектами решётки, то распределение их при ионной имплантации и механизм их активации представляют определённый интерес. Однако в литературе практически отсутствуют работы, посвящённые ионной имплантации и исследованию профиля распределения по глубине железа в кремнии. Целью настоящих исследований является изучение профилей распределения имплантированных атомов железа в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига.

Как известно, в кремнии, легированным элементом переходных групп, в частности железом, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1, 3]. Получения тонких слоёв имплантированных атомов в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной важно, в частности, для технологий создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются введение примесей элементов переходных групп, в частности железа. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентрацией диффузным методом невозможно из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования. Так как примеси Fe в Si могут находиться как в узлах, так и междоузлиях кристаллической решётки и взаимодействовать с дефектами решётки, то распределение их при ионной имплантации и механизм их активации представляют определённый интерес. Однако в литературе практически отсутствуют работы, посвящённые ионной имплантации и исследованию профиля распределения по глубине железа в кремнии. Целью настоящих исследований является изучение профилей распределения имплантированных атомов железа в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига.

Как известно, в кремнии, легированным элементом переходных групп, в частности железом, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1, 3]. Получения тонких слоёв имплантированных атомов в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной важно, в частности, для технологий создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются введение примесей элементов переходных групп, в частности железа. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентрацией диффузным методом невозможно из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования. Так как примеси Fe в Si могут находиться как в узлах, так и междоузлиях кристаллической решётки и взаимодействовать с дефектами решётки, то распределение их при ионной имплантации и механизм их активации представляют определённый интерес. Однако в литературе практически отсутствуют работы, посвящённые ионной имплантации и исследованию профиля распределения по глубине железа в кремнии. Целью настоящих исследований является изучение профилей распределения имплантированных атомов железа в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига.

Как известно, в кремнии, легированным элементом переходных групп, в частности железом, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1, 3]. Получения тонких слоёв имплантированных атомов в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной важно, в частности, для технологий создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются введение примесей элементов переходных групп, в частности железа. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентрацией диффузным методом невозможно из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования. Так как примеси Fe в Si могут находиться как в узлах, так и междоузлиях кристаллической решётки и взаимодействовать с дефектами решётки, то распределение их при ионной имплантации и механизм их активации представляют определённый интерес. Однако в литературе практически отсутствуют работы, посвящённые ионной имплантации и исследованию профиля распределения по глубине железа в кремнии. Целью настоящих исследований является изучение профилей распределения имплантированных атомов железа в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига.

Научно-техническая революция, вызванная бурным ростом фундаментальных и при-кладных наук, прежде всего наук о природе,открыла широчайшие возможности перед челове-чеством. Она породила также ряд новых проблем, решение которых вряд ли будет возможно без дальнейшего развития всех отраслей науки. Очевидно, что фундаментальная и прикладная физика и в дальнейшем будет оказывать значительно евлияние на развитие человеческой цивилизации.

В данной работе представлены результаты расчетных и экспериментальных исследований по определению теплотехнических характеристик солнечной сушилки-парника с тепловым аккумулятором. В целях выполнения моделирование процессов теплопередачи в рассматриваемой установке создана ее CAD модель с помощью ПО “Solid Works Flow Simulation”.

В данной работе представлены результаты расчетных и экспериментальных исследований по определению теплотехнических характеристик солнечной сушилки-парника с тепловым аккумулятором. В целях выполнения моделирование процессов теплопередачи в рассматриваемой установке создана ее CAD модель с помощью ПО “Solid Works Flow Simulation”.

Фан-техника тараққиётида хотин-қизларнинг ўрни. Республика илмий-амалий анжумани маърузалар тўплами. – Тошкент: ТошДТУ, 2017. «Фан-техника тараққиётида хотин-қизларнинг ўрни» мавзуида ўтказилган Республика илмий-амалий анжумани маърузалар тўпламида республикамиз олий таълим муассасаларида фаолият юритаётган профессор-ўқитувчиларнинг фан-техника соҳасида эришган ютуқлари ҳамда устозлари раҳбарлигида илмий изланишлар олиб бораётган ёш олималар ҳамда талаба-қизларнинг фан йўналишларидаги илмий ишларининг натижалари келтирилган.

Фан-техника тараққиётида хотин-қизларнинг ўрни. Республика илмий-амалий анжумани маърузалар тўплами. – Тошкент: ТошДТУ, 2017. «Фан-техника тараққиётида хотин-қизларнинг ўрни» мавзуида ўтказилган Республика илмий-амалий анжумани маърузалар тўпламида республикамиз олий таълим муассасаларида фаолият юритаётган профессор-ўқитувчиларнинг фан-техника соҳасида эришган ютуқлари ҳамда устозлари раҳбарлигида илмий изланишлар олиб бораётган ёш олималар ҳамда талаба-қизларнинг фан йўналишларидаги илмий ишларининг натижалари келтирилган.

To nowadays, there is great current interest in the use of high-power, ultrashort pulse lasers for a wide range of applications such as the generation of short x-ray pulses, the generation of high-order harmonics, the generation of plasma beams, the acceleration of atomic particles, the processing of materials, etc. A major breakthrough in a field of the generation of powerful lasers was connected with development of optical parametric chirped pulse amplification (OPCPA). This technique provides a wide amplification bandwidth and in principle an essentially constant coefficient of amplification, thus allowing the output power to be increased by two orders of magnitude and compact high power laser systems to be developed [1]. Now the peak powers of the OPCPA laser systems exceed the traditional lasers with chirped pulse amplification (CPA)

To nowadays, there is great current interest in the use of high-power, ultrashort pulse lasers for a wide range of applications such as the generation of short x-ray pulses, the generation of high-order harmonics, the generation of plasma beams, the acceleration of atomic particles, the processing of materials, etc. A major breakthrough in a field of the generation of powerful lasers was connected with development of optical parametric chirped pulse amplification (OPCPA). This technique provides a wide amplification bandwidth and in principle an essentially constant coefficient of amplification, thus allowing the output power to be increased by two orders of magnitude and compact high power laser systems to be developed [1]. Now the peak powers of the OPCPA laser systems exceed the traditional lasers with chirped pulse amplification (CPA)

Мақолада кислород ва карбонат ангидрид газлари таъсирида иссиқлик техникаси қурилмаларининг занглаш қонуниятлари ҳамда юқори ҳароратда сув таркибидаги кальций карбонат ва сульфат бирикмалардан чўкинди махсулотлари хосил бўлиши ва бундай чўкинди маҳсулотларининг иссиқлик узатувчи юзаларга таъсири ёритилган.

The control system provides: • Automatic control voltage supply to the actuators depending on the light conditions; • Automatic stop of the actuator upon reaching the end position them maximum illumination; • Indication of LEDs. Schematic diagram of the controller, modulated in the Proteus program, shown in Figure 1. According to the scheme of the algorithm program include following modes: • Find the maximum illumination In American English, commas, semi-/colons, periods, • Finding the halflight conditions of the maximum,In your paper title, • Low-light mode. Three different color LEDs connected to the ports of RD2, RD3, RD4 controller (they are located on the front panel of the controller). They indicate the above modes:

The control system provides: • Automatic control voltage supply to the actuators depending on the light conditions; • Automatic stop of the actuator upon reaching the end position them maximum illumination; • Indication of LEDs. Schematic diagram of the controller, modulated in the Proteus program, shown in Figure 1. According to the scheme of the algorithm program include following modes: • Find the maximum illumination In American English, commas, semi-/colons, periods, • Finding the halflight conditions of the maximum,In your paper title, • Low-light mode. Three different color LEDs connected to the ports of RD2, RD3, RD4 controller (they are located on the front panel of the controller). They indicate the above modes: