ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ РОР ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ АТОМОВ Fe В Si

Как известно, в кремнии, легированным элементом переходных групп, в частности железом, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1, 3]. Получения тонких слоёв имплантированных атомов в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной важно, в частности, для технологий создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются введение примесей элементов переходных групп, в частности железа. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентрацией диффузным методом невозможно из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования. Так как примеси Fe в Si могут находиться как в узлах, так и междоузлиях кристаллической решётки и взаимодействовать с дефектами решётки, то распределение их при ионной имплантации и механизм их активации представляют определённый интерес. Однако в литературе практически отсутствуют работы, посвящённые ионной имплантации и исследованию профиля распределения по глубине железа в кремнии. Целью настоящих исследований является изучение профилей распределения имплантированных атомов железа в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига.