ВЛИЯНИЕ ТЕРМООТЖИГА НА СОСТОЯНИЕ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ АТОМОВ Mn В Si

Как известно в кремний, легированным элементом, переходных групп, в частности марганец, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1-2]. Получение тонких слоев в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной представляет большой интерес как с точки зрения технологии, так и для создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются легирующие примеси элементов переходных групп, в частности марганец. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентраций диффузионным методом является невозможным из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования.