Солнечная энергия является наиболее экологически безопасным источником энергии среди возобновляемых источников энергии. Ее запасы в 100 000 раз превышают количество электроэнергии, потребляемой во всем мире. Солнце посылает на Землю громадный объем энергии – около 17410 15 Вт и она распределяется по всей площади земной поверхности. На земной поверхности солнечное излучение наблюдается с интенсивностью до 1000 Вт/м 2 .

В статье рассматривается возможность использования CIGS технологии в качестве альтернативного источника энергии для преобразования солнечной энергии, а также его параметры и преимущества.

В статье рассматривается возможность использования CIGS технологии в качестве альтернативного источника энергии для преобразования солнечной энергии, а также его параметры и преимущества.

В статье рассматривается возможность использования CIGS технологии в качестве альтернативного источника энергии для преобразования солнечной энергии, а также его параметры и преимущества.

Как известно в кремний, легированным элементом, переходных групп, в частности марганец, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1-2]. Получение тонких слоев в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной представляет большой интерес как с точки зрения технологии, так и для создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются легирующие примеси элементов переходных групп, в частности марганец. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентраций диффузионным методом является невозможным из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования.

Целью настоящего исследования является изучение химического состава местного сырья капусты обыкновенной. Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи: - обосновение целесообразности изучения местного

Как известно в кремний, легированным элементом, переходных групп, в частности марганец, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1-2]. Получение тонких слоев в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной представляет большой интерес как с точки зрения технологии, так и для создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются легирующие примеси элементов переходных групп, в частности марганец. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентраций диффузионным методом является невозможным из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования.

Как известно в кремний, легированным элементом, переходных групп, в частности марганец, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1-2]. Получение тонких слоев в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной представляет большой интерес как с точки зрения технологии, так и для создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются легирующие примеси элементов переходных групп, в частности марганец. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентраций диффузионным методом является невозможным из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования.

The Strategies of Modern Science Development: Proceedings of the XIV International scientific–practical conference. North Charleston, USA, 8-9 February 2018. - North Charleston: CreateSpace, 2018. - 76 p. The materials of the conference have presented the results of the latest research in various fields of science. The collection is of interest to researchers, graduate students, doctoral candidates, teachers, students - for anyone interested in the latest trends of the world of science.

Как известно, в кремнии, легированным элементом переходных групп, в частности железом, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1, 3]. Получения тонких слоёв имплантированных атомов в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной важно, в частности, для технологий создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются введение примесей элементов переходных групп, в частности железа. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентрацией диффузным методом невозможно из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования. Так как примеси Fe в Si могут находиться как в узлах, так и междоузлиях кристаллической решётки и взаимодействовать с дефектами решётки, то распределение их при ионной имплантации и механизм их активации представляют определённый интерес. Однако в литературе практически отсутствуют работы, посвящённые ионной имплантации и исследованию профиля распределения по глубине железа в кремнии. Целью настоящих исследований является изучение профилей распределения имплантированных атомов железа в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига.

Как известно, в кремнии, легированным элементом переходных групп, в частности железом, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1, 3]. Получения тонких слоёв имплантированных атомов в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной важно, в частности, для технологий создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются введение примесей элементов переходных групп, в частности железа. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентрацией диффузным методом невозможно из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования. Так как примеси Fe в Si могут находиться как в узлах, так и междоузлиях кристаллической решётки и взаимодействовать с дефектами решётки, то распределение их при ионной имплантации и механизм их активации представляют определённый интерес. Однако в литературе практически отсутствуют работы, посвящённые ионной имплантации и исследованию профиля распределения по глубине железа в кремнии. Целью настоящих исследований является изучение профилей распределения имплантированных атомов железа в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига.

Как известно, в кремнии, легированным элементом переходных групп, в частности железом, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1, 3]. Получения тонких слоёв имплантированных атомов в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной важно, в частности, для технологий создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются введение примесей элементов переходных групп, в частности железа. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентрацией диффузным методом невозможно из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования. Так как примеси Fe в Si могут находиться как в узлах, так и междоузлиях кристаллической решётки и взаимодействовать с дефектами решётки, то распределение их при ионной имплантации и механизм их активации представляют определённый интерес. Однако в литературе практически отсутствуют работы, посвящённые ионной имплантации и исследованию профиля распределения по глубине железа в кремнии. Целью настоящих исследований является изучение профилей распределения имплантированных атомов железа в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига.

Как известно, в кремнии, легированным элементом переходных групп, в частности железом, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1, 3]. Получения тонких слоёв имплантированных атомов в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной важно, в частности, для технологий создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются введение примесей элементов переходных групп, в частности железа. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентрацией диффузным методом невозможно из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования. Так как примеси Fe в Si могут находиться как в узлах, так и междоузлиях кристаллической решётки и взаимодействовать с дефектами решётки, то распределение их при ионной имплантации и механизм их активации представляют определённый интерес. Однако в литературе практически отсутствуют работы, посвящённые ионной имплантации и исследованию профиля распределения по глубине железа в кремнии. Целью настоящих исследований является изучение профилей распределения имплантированных атомов железа в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига.

Как известно, в кремнии, легированным элементом переходных групп, в частности железом, наблюдается ряд физических явлений, представляющих научный и практический интерес [1, 3]. Получения тонких слоёв имплантированных атомов в приповерхностной области Si с заданными электрофизическими свойствами и определенной толщиной важно, в частности, для технологий создания различных датчиков и приборов высокой чувствительности. Наиболее интересными в этой области являются введение примесей элементов переходных групп, в частности железа. С технологической точки зрения создать тонкие слои в кремнии с ограниченной глубиной и достаточной концентрацией диффузным методом невозможно из-за большого значения коэффициента диффузии этих элементов. Поэтому прибегают к методу ионно-лучевого легирования. Так как примеси Fe в Si могут находиться как в узлах, так и междоузлиях кристаллической решётки и взаимодействовать с дефектами решётки, то распределение их при ионной имплантации и механизм их активации представляют определённый интерес. Однако в литературе практически отсутствуют работы, посвящённые ионной имплантации и исследованию профиля распределения по глубине железа в кремнии. Целью настоящих исследований является изучение профилей распределения имплантированных атомов железа в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига.

Научно-техническая революция, вызванная бурным ростом фундаментальных и при-кладных наук, прежде всего наук о природе,открыла широчайшие возможности перед челове-чеством. Она породила также ряд новых проблем, решение которых вряд ли будет возможно без дальнейшего развития всех отраслей науки. Очевидно, что фундаментальная и прикладная физика и в дальнейшем будет оказывать значительно евлияние на развитие человеческой цивилизации.

Farmatsevtik kimyо yuqоri malakali dоrishunоs-mutaxassislarni tayyоrlashda etakchi fanlardan biri bо’lib, u dоri mоddalarini оlish yо’llarini, fizikaviy va kimyоviy xоssalarini, ularning kimyоviy tuzilishi bilan inson оrganizmiga bо’lgan ta`sir о’rtasidagi munоsabatlarni xamda dоri mоddalarining sifatini nazоrat qilish (taxlil) usullarini va saqlash shart-sharоitlarini о’rgatadi.

В данной работе представлены результаты расчетных и экспериментальных исследований по определению теплотехнических характеристик солнечной сушилки-парника с тепловым аккумулятором. В целях выполнения моделирование процессов теплопередачи в рассматриваемой установке создана ее CAD модель с помощью ПО “Solid Works Flow Simulation”.

В данной работе представлены результаты расчетных и экспериментальных исследований по определению теплотехнических характеристик солнечной сушилки-парника с тепловым аккумулятором. В целях выполнения моделирование процессов теплопередачи в рассматриваемой установке создана ее CAD модель с помощью ПО “Solid Works Flow Simulation”.

Fanni o’rganish natijasida kerakli bilim va amaliy ko’nikmalariga ega bo’lgan farmatsevt, MX talablari asosida dori vositasini sifatiga baho bera olish malakasini egallashdan tashqari zamonaviy asbob-uskunalarda taxlil usullarini bajarish, ularni o`zaro solishtirish, texnologik jarayondagi oraliq mahsulotlar sifatini baholash, analitik usullarnining validatsiyasi (chiziqliligi, spetsifikligi, aniqligi va b.) kabi masalalarni ham hal eta oladi. Dori vositalarining sifatini nazorat qilishda qo’llaniladigan zamonaviy usullar, ularning nazariy asoslari va amaliy qo’llanilishi, murakkab tarkibli dori vositalari tahlilining o’ziga xos tomonlari, qo’llaniladigan kimyoviy va fizik-kimyoviy usullarini tanlashni o’rganish va amaliyotga tatbiq etishdan iborat. Eng muximi, ushbu fanni o’rgatish, xozirgi zamon talablari asosida ishlab chiqaruvchi korxonalarga yetuk mutaxassis tayyorlash imkonini beradi.

В комплексе учебных дисциплин, включающих разнообразные стороны изучения лекарственных средств, важное место принадлежит фармацевтической химии, так как задачи, стоящие перед фармацевтической химией, решаются с помощью классических физических, химических и физикохимических методов, используемых в анализе лекарственных веществ.