Тадқиқотнинг мақсади наноўлчамли изоляцияланган уч затворли, изолятор устида кремний технологияси асосидаги вертикал ўтишсиз майдоний транзистор характеристикаларига, ундаги қисқа каналли эффектларга ва тасодифий телеграф шовқинга технологик флуктациялар натижасида вужудга келадиган транзистор шакли ва геометрик ўлчамларидаги ўзгаришларнинг таъсирини аниқлашдан иборат.