Тадқиқотнинг мақсади Si ва Ge плёнкаларининг муаллақ эркин Al ва Cu плёнкалари ва монокристаллари юзасида шаклланиш қонуниятларини, шунингдек Ва атомларини ўтирғизишнинг ва Ba+ ва O2+ ионлари имплантациясининг уларнинг электрон тузулиши ва хоссаларига таъсирини ўрганиш.