GaP ва GaAs асосидаги таркибида висмут атомлари бўлган кўп таркибли гетеротузилмаларнинг физик хоссалари

GaP ва GaAs асосидаги таркибида висмут атомлари бўлган кўп таркибли гетеротузилмаларнинг физик хоссалари
Daraja:
Oliy o`quv yurtidan keyingi ta`lim
Turi:
Avtoreferat
Nashr etilgan yili:
2021
Til:
Rus tilida,O`zbek tilida (kir.),Ingliz tilida
Yaratilan vaqti:
2022-06-19 04:21:30
Тадқиқотнинг мақсади. GaР ва GaAs асосида янги кўптаркибли, висмут киришма атомлари бўлган қаттиқ қоришмалар ва гетеротузилмаларнинг электрофизик хоссаларини тадқиқ қилиш ҳамда уларни олиш оптимал технологик шароитларини аниқлаш

Дабавлено : 2022-06-19 04:21:30

Этот категорий

Состояние слухового и вестибулярного анализаторов у больных с бруцеллезной инфекцией

Чўлпон насри поэтикаси

Исследование противовоспалительных свойств производных тиомочевины и тиокарбамата

Оғир бош мия жароҳати билан бўлган беморларда мия ҳимоясини оптимизациялаш

Уюшган болалар муссасаларида биологик фаол овқат қўшимчаларини қўллашни гигиеник асослаш

Новый

Жиззах вилоятида туристик дестинацияларни ташкил этишнинг ҳудудий жиҳатлари

Таълим муассасаси раҳбарининг бошқарув фаолиятида соғлом ва ижодий муҳитни яратиш механизмларини такомиллаштириш

Ишлаб чиқариш таълими усталарининг касбий компетентлигини ривожлантириш

Eliptik qismi yuqori tartibli bo`lgan kasr tartibli xususiy hosilali differensial tenglamalar uchun to`g`ri va teskari masalalar

Саноат корхоналари ривожланишининг инновацион стратегияларини такомиллаштириш