Тадқиқотнинг мақсади Мо ва Si ни О2+ ионларини имплантация қилиш жараёнида МоО3 ва SiO2 оксидларининг наноўлчамли плёнкаларининг хосил бўлиш қонуниятларини ва электрон тузилишини ўрганиш, ҳамда Ar+ ва фаол металл ионлари билан бомбардимон қилинганда пайтида уларнинг электрон ва оптик хусусиятларининг ўзгариш механизмларини ишлаб чиқишдан иборат.