Тадқиқотнинг мақсади наноўлчамли изолятор устида кремний технологияси асосидаги вертикал майдоний транзисторнинг геометрик ўлчамлари технологик флуктуацияларининг характеристика ва қисқа каналли эффектларга, диэлектрик қатлами ва диэлектрик-яримўтказгич чегарасидаги зарядланган якка нуқсоннинг телеграф шовқин амлитудасига таъсирини аниқлашдан иборат.