Тадқиқотнинг    мақсади    наноўлчамли    изолятор    устида    кремний  технологияси   асосидаги   вертикал   майдоний   транзисторнинг   геометрик ўлчамлари технологик флуктуацияларининг характеристика ва  қисқа каналли эффектларга,  диэлектрик  қатлами  ва  диэлектрик-яримўтказгич  чегарасидаги зарядланган  якка  нуқсоннинг  телеграф  шовқин  амлитудасига  таъсирини аниқлашдан иборат.