We have previously obtained epitaxial films of metal silicides by implantation of Ba+, Na+, Co+ ions in Si followed by thermal heating [1, 2]. The process of ion implantation is always accompanied by ion scattering, sputtering and changes in the composition of surface layers. These changes depend on the type of ion and substrate material, on the energy and dose of ions, and on the angle of incidence of ions.

В литературе имеются достаточно много информации по формированию моноатомных и мономолекулярных кластеров в полупроводниках и исследованию их свойств. Предоставляет большой интерес формирование бинарных кластеров (состоящих из атомов двух типов) в решетке полупроводников, в том числе в решетке кремния.

В литературе имеются достаточно много информации по формированию моноатомных и мономолекулярных кластеров в полупроводниках и исследованию их свойств. Предоставляет большой интерес формирование бинарных кластеров (состоящих из атомов двух типов) в решетке полупроводников, в том числе в решетке кремния.

Ушбу мақолади радиация хавфсизлиги, фуқароларнинг ҳаёти, соғлиғи ва мол-мулкини радиация ионлаштирувчи зарарли таъсиридан атроф-муҳитни муҳофаза қилишга қарши жиноятлар таҳлил қилиган.

Иккита кутбли параметрик стабилизаторли манбалар операцион кучайтиргичларда ва чизикли интеграл схемаларда манба сифатида ишлатилади [1]. Бу манбалар юкламани сифатли чикиш кучланиши билан таъминлайди. Юклама кичик ток ва кенг диапазонли чикиш кучланишида ишлаганда мураккаб параметрик курилма оркали манба билан таъминланади.

Мақолада одам савдоси жиноятининг мохияти ва мазмуни, унинг трансмиллий уюшган жиноят сифатида ўзга хос хусусияти, жиноятга қарши кураш борасидаги халқаро ва миллий нормалар келтириб ўтилган. Бундан ташқари, одам савдоси жиноятга оид халқаро ташкилотларнинг айрим статистик маълумотлари берилган.

О причинах возникновения анизотропии магнитных свойств эпитаксиальных слоев GaMnAs

В работе приведен выбор и исследование технологии спекания покрытия из вольфрамо-кобальтовой композиции для повышения износостойкости деталей машин.

Мазкур мақолада гиёҳвандлик воситалари ва психотроп моддаларни ўтказиш мақсадини кўзлаб қонунга хилоф равишда тайёрлаш,олиш, сақлаш ва бошқа ҳаракатлар қилиш, шунингдек уларни қонунга хилоф равишда ўтказиш тўғрисида сўз боради.

Динамический хаос обладает совокупностью свойств, которые делают привлекательным его использование в качество носителя информации и системах связи. К этим свойствам, в частности, относятся: потенциально высокие скорости передачи информации, устойчивость широкополосных сигналов к замираниям при многолучевом распространении и возможность организации конфиденциальной связи.

In this article is analized about features of the characteristic of the minors involved in antisocial behavior.

Мазкур мақолада амалдаги қонун \ужжатлари асосида мансабдорлик жиноятлари ва уларнинг профилактикаси таҳлил қилинади.

Ҳозирги кунда ер планетасида ахоли сонининг йилдан йилга ортиб бориши кундалик турмушимизда деярли ҳар куни ва деярли бир хил таркибдаги “қаттиқ маиший чиқинди”ларни кўплаб ажралишига сабаб бўлмоқда. Мазкур чиқиндилар муаммоси дунѐ миқиѐсида энг долзарб экологик муаммоларидан бири десак муболаға бўлмайди.

В литературе имеются достаточно много информации по формированию моноатомных и мономолекулярных кластеров в полупроводниках и исследованию их свойств. Предоставляет большой интерес формирование бинарных кластеров (состоящих из атомов двух типов) в решетке полупроводников, в том числе в решетке кремния.

В литературе имеются достаточно много информации по формированию моноатомных и мономолекулярных кластеров в полупроводниках и исследованию их свойств. Предоставляет большой интерес формирование бинарных кластеров (состоящих из атомов двух типов) в решетке полупроводников, в том числе в решетке кремния.

В литературе имеются достаточно много информации по формированию моноатомных и мономолекулярных кластеров в полупроводниках и исследованию их свойств. Предоставляет большой интерес формирование бинарных кластеров (состоящих из атомов двух типов) в решетке полупроводников, в том числе в решетке кремния.

В литературе имеются достаточно много информации по формированию моноатомных и мономолекулярных кластеров в полупроводниках и исследованию их свойств. Предоставляет большой интерес формирование бинарных кластеров (состоящих из атомов двух типов) в решетке полупроводников, в том числе в решетке кремния.

В литературе имеются достаточно много информации по формированию моноатомных и мономолекулярных кластеров в полупроводниках и исследованию их свойств. Предоставляет большой интерес формирование бинарных кластеров (состоящих из атомов двух типов) в решетке полупроводников, в том числе в решетке кремния.

В литературе имеются достаточно много информации по формированию моноатомных и мономолекулярных кластеров в полупроводниках и исследованию их свойств. Предоставляет большой интерес формирование бинарных кластеров (состоящих из атомов двух типов) в решетке полупроводников, в том числе в решетке кремния.

В литературе имеются достаточно много информации по формированию моноатомных и мономолекулярных кластеров в полупроводниках и исследованию их свойств. Предоставляет большой интерес формирование бинарных кластеров (состоящих из атомов двух типов) в решетке полупроводников, в том числе в решетке кремния.