ВЛИЯНИЯ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Со + НА СОСТАВ И СВОЙСТВА СВОБОДНЫХ СЛОИСТЫХ СТРУКТУР Si-Си

В данной работе приводятся экспериментальные результаты по влиянию имплантации ионов Со+ на состав поверхности и профили распределение атомов по глубине гетеропленок Si-Си(100). Перед ионной имплантацией образцы обезгаживались при Т≈700К в течении 2-3 часа в условиях сверхвысокого вакуума (Р≤10-6 Ра.). После прогрева на поверхности Si концентрация кислорода составляет ̴ 4-5 ат.%, а углерода - ̴ 2 ат.%, а общая концентрация других примесных атомов не превышало 0,5 - 1 ат.%. Результаты экспериментальных исследований показали, что после ионной имплантации поверхностная концентрация О и С резко уменьшается. Анализ показывает, что бомбардировка свободных нанопленок Si-Си ионами Со+ , в сочетании с отжигом, как в случае массивных пленок Si, приводит к образованию нанопленок СоSi2 (см.табл.) Таблица.