Время жизни носителей заряда (электронов и дырок) сильно зависит от концентрации
примесей, дефектов структуры, а также от особенностей технологии получения и
термообработки полупроводниковых материалов и во многом определяет возможности их
использования при изготовлении приборов. Промышленности же необходимы экспрессные
методики определения времени жизни неравновесных носителей заряда, не только для
полупроводниковых материалов, но и для готовых структур.
На современных предприятиях электронной промышленности при изготовлении
мощных переключающих диодов применяется входной контроль кремния с целью
увеличения выхода годной продукций. Поэтому наряду с измерением удельного
сопротивления и толщины нарушенного слоя кремния необходимо контролировать
динамические характеристики кремния.
К настоящему времени промышленностью изготавливаются оборудования и
используются в производственных целях 4 основные методики измерения время жизни. Два
метода позволяют измерять диффузионную длину - это измерение поверхностной фотоЭДС
и обратного фототока (ОФТ). Два метода основаны на измерении спада фотопроводимости -
контактный и бесконтактный (СВЧ). Эти методы, исключая ОФТ, включены в систему
стандартов ASTM (SEMI)[1],