ИСПОЛЬЗОВАНИЕ МЕТОДА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХСЯ ДИОДАХ НА ОСНОВЕ SIC

Время жизни носителей заряда (электронов и дырок) сильно зависит от концентрации примесей, дефектов структуры, а также от особенностей технологии получения и термообработки полупроводниковых материалов и во многом определяет возможности их использования при изготовлении приборов. Промышленности же необходимы экспрессные методики определения времени жизни неравновесных носителей заряда, не только для полупроводниковых материалов, но и для готовых структур. На современных предприятиях электронной промышленности при изготовлении мощных переключающих диодов применяется входной контроль кремния с целью увеличения выхода годной продукций. Поэтому наряду с измерением удельного сопротивления и толщины нарушенного слоя кремния необходимо контролировать динамические характеристики кремния. К настоящему времени промышленностью изготавливаются оборудования и используются в производственных целях 4 основные методики измерения время жизни. Два метода позволяют измерять диффузионную длину - это измерение поверхностной фотоЭДС и обратного фототока (ОФТ). Два метода основаны на измерении спада фотопроводимости - контактный и бесконтактный (СВЧ). Эти методы, исключая ОФТ, включены в систему стандартов ASTM (SEMI)[1],