ВЛИЯНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ СИЛИЦИДОВ МЕТАЛЛОВ НА УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Для использования тонкослойных полупроводниковых структур при создании прибо­ ров электронной техники необходимо изучить физические процессы происходящих в этих структурах, разработать новые физико-технологические основы и принципы создания струк­ тур с улучшенными эксплуатационными параметрами. В связи с этим исследование эле­ ментного состава и химической структуры поверхности образцов Si, SiO2, используемых в производстве солнечных элементов и полупроводни­ ковых приборов становится все более актуальным. Это связано с тем, что во многих случаях причиной выхода из строя полупроводниковых приборов могут являться наличие ничтожного количества чужеродной примеси появляющейся в поверхностных слоях образцов на од­ ном из этапов технологического процесса производ­ ства. Например, такие примеси, как углеводороды и щелочные металлы, оставшиеся на поверхности образ­ цов после химической обработки или во время окисле­ ния, могут приводить к ослаблению адгезии тонких металлических пленок, наносимых на поверхность об­ разца, или к отравлению (окислению) их поверхности и соответственно к порче полупроводниковых прибо­ ров. Поэтому необходимо контролировать поверх­ ность образцов кремния и кремния с диэлектрически­ ми покрытиями SiO2, определяя элементный состав их