Введение.Насовременныхпредприятияхэлектроннойпромышленностисцелью
увеличениявыходагоднойпродукцийприменяетсявходнойконтролькремнияпри
изготовлениимощныхпереключающихдиодов.Поэтомунарядусизмерениемудельного
сопротивленияитолщинынарушенногослоякремниянеобходимоконтролировать
динамическиехарактеристикикремния.Внастоящеевремяважнейшийпараметр
переключениядиодов-времярелаксациинеосновныхносителейзарядавкремнии
измеряетсяпозатуханиюфотопроводимостииобратногопереключениядиода.[1]
Влияниевременижизнинаформированиепараметровприбороввесьмаразнообразно,
уменьшениееговеличиныповышаетбыстродействиедиодов,адляповышения
эффективностиработыфотоприемниковисолнечныхбатарейтребуютсяиногдапредельно
высокиезначеният.Освоениетехнологиикакой-либоновойполупроводниковойструктуры
частоприводилокразработкеспециальногодляданнойструктурыметодаоценкитв
исходномматериале.
Однакопомересовершенствованиятехнологиипроизводстваприборногокремния,а
такжеуменьшениячислатиповструктуррезкосократиласьразработкановыхметодов
измереният[2-4].
Привыбореметодаизмерениявременижизнинемаловажнымфакторомявляется
сравнительнаясложностьаппаратурыиеестоимость[2].
Внастоящеевремяпромышленноизготавливаетсяоборудованиедляиспользованияв
производственныхцеляхнаосновечетырехосновныхметодик[2]:дваметодапозволяют
измерятьдиффузионнуюдлину—методыповерхностнойфотоэ.д.с.(ПФЭ)иобратного
фототока(ОФТ),дваметодаоснованынаизмеренииспадафотопроводимости—контактный
ибесконтактный(СВЧ).Этиметоды,кромеОФТ,включенывсистемустандартовASTM.