Eнергитическая и теппература

Для выяснения вопроса, нами иследовалась эмиссия отрицательно заряженных кластерных ионов при распылении поверхности GaN ионами цезия; зависимость выхода кластерных ионов от плотности первичных ионов цезия. Исследуемой образец (GaN) представлял собой эпитаксиальную пленку, нанесенную на подложку карбида кремния. Выращенная пленка GaN n-типа. Плотность тока первичных ионов является важным параметром, от которого зависит корректность измерения числа вторичных ионов объемного происхождения, т.е ионов возникающих в резултьтате распыления атомов кристаллической решетки мишени. Наличие на поверхности мишени инородных примесей или пленок может существенно изменить коэффициент ВИЭ. Экспериментальная часть На рис.1 изображён масс-спектр в области от 0 до 300 а.е.м., пики которого представляют собой выход отрицательных ионов при бомбардировке поверности нитрида галлия положительными ионами кислорода с энергией 3 кэВ и током , равным 1 -10` 8А. Первым на этом графике выделяется сигнал водорода. Далее присутствуют атомарные ионы углерода и кислорода. Пик ионов наибольшее интенсивности выхода на данном масс- спектре. После мы видим наличие адсорбированной примеси CN.