В литературе имеются достаточно много информации по формированию
моноатомных и мономолекулярных кластеров в полупроводниках и исследованию их
свойств. Предоставляет большой интерес формирование бинарных кластеров (состоящих
из атомов двух типов) в решетке полупроводников, в том числе в решетке кремния.
Это связанно: во-первых - с возможностями получения объемно
наноструктурированных полупроводников, технология получения которых еще слабо
разработана, а во вторых - возможностями существенного расширения функциональных
свойств полупроводниковых материалов и приборов на их основе, и наконец – с
выявлением новых физических явлений в таких материалах, которые отсутствуют в
обычных материалах.