Развитие современной микроэлектроники тесно связано с получением и изучением свойств тонких пленок, толщина которых составляет несколько десятков Å. Такие пленки в основном
получают в условиях высокого вакуума различными методами, например, методами напыления, эпитаксиального роста, ионной имплантации или ионного перемешивания.