Создать модель транзистора в соответствии с вариантом задания таблицы 1. Для этого щелкнуть два раза клавишей указания мыши на
изображении транзистора и выбрать в появившемся окне NPN Transistor Properties в разделе Library библиотеку default, а затем в разделе Model –
тип транзистора ideal. Выбрать последовательно клавишей указания мыши кнопки Copy и Paste, записать латинскими буквами в появившемся окне тип
транзистора в соответствии с вариантом задания и нажать кнопку ОК. В результате в разделе Model добавится новый тип транзистора. Для
корректировки его параметров нажать кнопку Edit и установить значения параметров Forward current gain coefficient [BF] (коэффициент усиления β),
Base ohmic resistance [RB] (сопротивление базы R б ), Emiter ohmic resistance [RE] (сопротивление эмиттера R э ), Collector ohmic resistance [RC]
(сопротивление коллектора R к ) в соответствии с таблицей 1. Значения других параметров оставить без изменения.