The lateral capacitance of nanometer MNOSFET with a single charge trapped in oxide layer or at SiO2 - SI3N4 interfaceat

The lateral capacitance of nanometer MNOSFET with a single charge trapped in oxide layer or at SiO2 - SI3N4 interfaceat
Daraja:
Oliy ta`lim
Turi:
Maqola
Til:
Ingliz tilida
Yaratilgan vaqti:
2021-04-16 15:56:30
Бу мақолада ҳозирги вақтда жуда долзарб бўлган наноэлектрониканинг илмий масалалари кўрилган.

Дабавлено : 2021-04-16 15:56:30

Этот категорий

Pythonda matematik hisoblashlarni dasturlash

Nazariy mexanika

Nazariy mexanika

Fundamentals of scientific research and innovation

Oila tibbiyoti

Новый

Жиззах вилоятида туристик дестинацияларни ташкил этишнинг ҳудудий жиҳатлари

Таълим муассасаси раҳбарининг бошқарув фаолиятида соғлом ва ижодий муҳитни яратиш механизмларини такомиллаштириш

Ишлаб чиқариш таълими усталарининг касбий компетентлигини ривожлантириш

Eliptik qismi yuqori tartibli bo`lgan kasr tartibli xususiy hosilali differensial tenglamalar uchun to`g`ri va teskari masalalar

Саноат корхоналари ривожланишининг инновацион стратегияларини такомиллаштириш