ПОЛУЧЕНИЕ, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА pSi-n(Si2)1-x(CdS)x, nSi-p(Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y ГЕТЕРОСТРУКТУР

Актуальность работы. В настоящее время ведутся интенсивные исследования в области полупроводнико¬вого материаловедения с целью получения новых материа-лов, снижения их стоимости, а также изготовления структур, используемых для созда-ния приборов оптоэлектроники. Соединения A2B6 и A3B5 и их твердые растворы счи-таются основными материалами для создания на их основе по¬лупроводниковых при-боров. Но многие соединения A2B6 и A3B5 являются дорогостоящими материалами, и поэтому использование массивных элементов на их основе в широком масштабе бу-дет ограничено с экономической точки зрения. Учитывая, что активная область оп-тоэлектронных элементов составляет несколько микрометров, целесообразным яв-ляется выращивание таких соединений на доступных и дешевых подложках, изго-товленных, в частности, из монокристаллического кремни