Исследовано влияние искажения греющей волны на рекомбинационные токи и ЭДС, генерируемые p-n-переходом в сильном СВЧ поле. Показано, что высокочастотные возмущения поверхностного потенциала и высоты p-n-перехода греющей волной в режиме тока короткого замыкания приведет к уменьшению эффективной высоты барьера, а в режиме холостого хода к аномально большим значениям ЭДС.