Эффекты аномально-больших фотонапряжений и фотоэлектретных состояний без внешнего поляризующего поля в пленках si и cdte

Эффекты аномально-больших фотонапряжений и фотоэлектретных состояний без внешнего поляризующего поля в пленках si и cdte
Daraja:
Oliy ta`lim
Turi:
Avtoreferat
Nashr etilgan yili:
2009
Til:
Rus tilida
Yaratilgan vaqti:
2021-04-13 20:38:55
Актуальность работы. Развитие полупроводниковой оптоэлектроники во многом связано исследованием полупроводниковых структур в виде тонких плёнок, в особенности тонкопленочных многоэлементных приёмников излучений. К числу таких элементов относится и полупроводниковые пленки, генерирующие аномально-большие фотонапряжения (АФН) [1-10], величина которой, вопреки зонной теории, превышает значение ширины запрещенной зоны соответствующего полупроводника.

Дабавлено : 2021-04-13 20:38:55

Этот категорий

Pythonda matematik hisoblashlarni dasturlash

Nazariy mexanika

Nazariy mexanika

Fundamentals of scientific research and innovation

Oila tibbiyoti

Новый

Жиззах вилоятида туристик дестинацияларни ташкил этишнинг ҳудудий жиҳатлари

Таълим муассасаси раҳбарининг бошқарув фаолиятида соғлом ва ижодий муҳитни яратиш механизмларини такомиллаштириш

Ишлаб чиқариш таълими усталарининг касбий компетентлигини ривожлантириш

Eliptik qismi yuqori tartibli bo`lgan kasr tartibli xususiy hosilali differensial tenglamalar uchun to`g`ri va teskari masalalar

Саноат корхоналари ривожланишининг инновацион стратегияларини такомиллаштириш