Актуальность работы. Развитие полупроводниковой оптоэлектроники во многом связано исследованием полупроводниковых структур в виде тонких плёнок, в особенности тонкопленочных многоэлементных приёмников излучений. К числу таких элементов относится и полупроводниковые пленки, генерирующие аномально-большие фотонапряжения (АФН) [1-10], величина которой, вопреки зонной теории, превышает значение ширины запрещенной зоны соответствующего полупроводника.