Полупроводниковые электронные устройства и приборы, и их параметры

В декабре 1947 г. Бардин и Браттейн — два исследователя фирмы «Белл» (США) занимались изучением распределения потенциала вокруг точечного контакта германиевого СВЧ-детектора с целью повышения его надежности и чувствительности. В ходе этих исследований было обнаружено, что при расстоянии между точечными контактами порядка 10—12 микрометров оказывается возможным управлять током через один из контактов с помощью тока через второй контакт. Степень управления — коэффициент усиления по току — сильно зависела от материала зондов и «формовки» при пропускании импульсов тока через один из контактов. В среднем величина коэффициента усиления по току составляла около 2,5. Таким образом, этот эффект лег в основу полупроводникового прибора, получившего название точечно-контактного транзистора, или транзистора типа «А». Научной основой изобретения были интереснейшие явления в полупроводниках: проводимость, обусловленная носителями тока двух знаков — электронов и дырок; инжекция носителей через электронно-дырочный (р-n-) переход; диффузия и рекомбинация неравновесных электронов и дырок. Это открытие стало началом нового этапа развития физики твердого тела, создающего основы полупроводниковой электроники.