psi-n(znse)1-x-(Si2)x(gap)y гетероструктурасининг вольт-ампер характеристикаси

 psi-n(znse)1-x-(Si2)x(gap)y  гетероструктурасининг вольт-ампер характеристикаси
Daraja:
Oliy ta`lim
Yo'nalish:
Boshqa
Turi:
Bitiruv malakaviy ishi
Nashr etilgan yili:
2014
Til:
O`zbek tilida (kir.),Qoraqalpoq tilida,Ingliz tilida,O`zbek tilida (lot.),Nemis tilida,Qozoq tilida
Yaratilan vaqti:
2021-04-12 03:41:38
Ушбу БМИ да яримўтказгичлик хоссасига эга бўлган янги типдаги моддани ўстириш технологиясини ва унинг тузилиши, электрофизик хоссаларини ўрганиш мақсад қилиб қўйилган. Бундай модда кремний монокристаллидан иборат тагликда суюқ фазадан эпитаксия усули билан ўстирилган руҳ, селен, ва галлий, фосфор қатламларидан иборат (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y бирикмалар ҳисобланади.

Дабавлено : 2021-04-12 03:41:38

Этот категорий

Ўзбекистонда демократик жамият қуриш назарияси ва амалиёти

Бухгалтерский учет и аудит

Қарақалпақ тилинде теңлес еки компонентли фразеологизмлер oқыў - методикалық қолланба

Ижтимоий-маданий фаолиятда сценарийчилик

Озиқ-овқат маҳсулотлари технологияси

Новый

Жиззах вилоятида туристик дестинацияларни ташкил этишнинг ҳудудий жиҳатлари

Таълим муассасаси раҳбарининг бошқарув фаолиятида соғлом ва ижодий муҳитни яратиш механизмларини такомиллаштириш

Ишлаб чиқариш таълими усталарининг касбий компетентлигини ривожлантириш

Eliptik qismi yuqori tartibli bo`lgan kasr tartibli xususiy hosilali differensial tenglamalar uchun to`g`ri va teskari masalalar

Саноат корхоналари ривожланишининг инновацион стратегияларини такомиллаштириш