Ушбу БМИ да яримўтказгичлик хоссасига эга бўлган янги типдаги моддани ўстириш технологиясини ва унинг тузилиши, электрофизик хоссаларини ўрганиш мақсад қилиб қўйилган. Бундай модда кремний монокристаллидан иборат тагликда суюқ фазадан эпитаксия усули билан ўстирилган руҳ, селен, ва галлий, фосфор қатламларидан иборат (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y бирикмалар ҳисобланади.