МДЯ структуралар замонавий микроэлектроника ва қуёш элементларида базовий элементлар сифатида кенг қўлланилиб келмоқда.Биринчи ўринда белгилаш керакки, изоляцияланган затворли майдон транзисторлари, хотира элементлари, сиртий тўсиқли варикаплар, интеграл микросехемалар ва қуёш элементлари ташкил этмоқда. Кейинги даврда яримўтказгичлар электроникасида интеграл микросхемалар деб аталмиш қиёсан кичик хажмда ўз ичига кўп миқдордаги транзисторлар, сиғимлар, индуктивликлар ва бошқа элементларни олган тузилмалар кенг миқёсда ишлаб чиқилиши, уларнинг турли соҳаларга (компьютерлар, телевизорлар, алоқа ва энергетик қурилмаларга) жадал жорий қилиниши яримўтказгичлар сирти физикасини астойдил тадқиқланиши масаласини долзарб қилиб қўйди, чунки қўлланадиган яримўтказгич элементлар хажмининг тобора кичрайиб бориши улар сиртининг аҳамиятини ошириб бормоқда.