"В последние годы для направленного изменения свойств Si его легируют так
называемыми нетрадиционными примесями– редкоземельными элементами (РЗЭ), которые зачастую присутствуют объеме Si в электрически неактивном состоянии, но оказывают существенное влияние на процессы дефектообразования, а также на рабочие характеристики полупроводниковых приборов . "