GaAs (arsenid galliy)li asbobli strukturalarga radiatsiya va lazer ta’sirlaridan keyin volt-amper xarakteristikasini o’zgarishini o`rganish

GaAs (arsenid galliy)li asbobli strukturalarga radiatsiya va lazer  ta’sirlaridan keyin volt-amper xarakteristikasini o’zgarishini o`rganish
Daraja:
Oliy ta`lim
Yo'nalish:
Ilmiy-ta`limiy
Turi:
Magistrlik dissertatsiyasi
Nashr etilgan yili:
2019
Til:
O`zbek tilida (lot.)
Yaratilan vaqti:
2021-04-20 13:03:33
Ushbu magistrlik dissertatsiya ishi arsenid galliyli Shottki baryerli diodli strukturalarning radiatsiya va lazer 5 ta’sirlaridan keying volt-amper va elektrofizik xususiyatlarining o’rganishga qaratilgan. Tadqiqotning asosiy maqsadi arsenidgalliyli asbobli strukturalarning volt-amper va elektrofizik parametrlarining har xil tashqi aktiv ta’sirlar natijasida o’zgarishini tadqiq qilish hamda shu izlanish natijalari bo’yicha asoblarning fizik parametrlarini o’zgarishini o’rganishdan iborat.

Дабавлено : 2021-04-20 13:03:33

Этот категорий

Ўзбекистонда демократик жамият қуриш назарияси ва амалиёти

Бухгалтерский учет и аудит

Қарақалпақ тилинде теңлес еки компонентли фразеологизмлер oқыў - методикалық қолланба

Ижтимоий-маданий фаолиятда сценарийчилик

Озиқ-овқат маҳсулотлари технологияси

Новый

Жиззах вилоятида туристик дестинацияларни ташкил этишнинг ҳудудий жиҳатлари

Таълим муассасаси раҳбарининг бошқарув фаолиятида соғлом ва ижодий муҳитни яратиш механизмларини такомиллаштириш

Ишлаб чиқариш таълими усталарининг касбий компетентлигини ривожлантириш

Eliptik qismi yuqori tartibli bo`lgan kasr tartibli xususiy hosilali differensial tenglamalar uchun to`g`ri va teskari masalalar

Саноат корхоналари ривожланишининг инновацион стратегияларини такомиллаштириш