Ташкентский государственный технический университет
100095, Узбекистан, г. Ташкент, ул Университетская 2
e-mail: bahazeb@yandex.com
В настоящее время функциональные возможности существующих
полупроводниковых материалов для фотоэнергетики практически
максимально и достаточно эффективно использованы. Однако независимо от
этого эффективность фотоэлементов остаѐтся достаточно низкой, что
ограничивает их широкомасштабное использование в наземных условиях, это
в основном связанно с неэффективным использованием солнечного излучения с
энергией фотонов hv>Eg
, за счет эффекта термолизации, а также не
возможностью использования ИК спектра Солнца для фотогенерации
носителей заряда из-за hv<Eg
.