ГАНН ЭФФЕКТИ — Nсимон ҳажмий вольт-ампер характеристикали яримўтказгичларда электр токининг юқори частотали тебранишларини генерациялаш. Ганн эффектини америкалик физик Ж. Ганн (J. Gunn) электрон ўтказувчанликли GaAs ва JnP намуналарида кузатган (1963). Ганн эффекти доимий кучланиш маромида намуналарда доимий равишда пайдо бўладиган, кўчадиган ва йўқоладиган кучли электр майдон соҳасининг мавжудлиги туфайли юзага келади. Бу соҳа Ганн домени дейилади. Ганн эффектида тебраниш частотаси намуна узунлигига тескари мутаносиб бўлади. Уз. 30—50 мкм ли GaAs кристаллда тебраниш частотаси – 0,3—2 ГГц.