АНТИСЕГНЕТОЭЛЕКТРИКЛАР — диполлари параллел жойлашмаган сегнетоэлектриклар. А. антиферромагнитларнинг ўхшаши бўлиб, ташқи электр майдон бўлмаганда ионларнинг айрим кристалл панжаралари нолдан фаркли электр диполь моментига эга бўлади. Ташқи электр майдон таъсирисиз ҳам диполлари бир хил йўналган доменлар мавжуд. Электр майдон кучи йўналишидаги кўшни доменларда диполларнинг ориентирланиши (йўналиши ўзгариши) натижасида домен ўса бошлайди. Энг охирида диэлектрик шу йўналиш бўйича қутбланади. Диэлектриклар электр майдон кучи таъсирида қанча жадал қутбланса, шу диэлектрик ишлатилган конденсаторнинг сигами шунча катта бўлади.
Баъзи Антисегнетоэлектрикларда кучли электр майдон таъсирида сегнетоэлектрик ҳолатга фазовий ўтиш содир бўлади, яъни антипа-раллел ҳолатдан диполлари тартиблашган параллел ҳолатга ўтилади. Антисегнетоэлектрикларга PbZ2O3, NaNbOj, PbMgWO6 ва б. бирик-малар киради. Уларда антисегнетик ҳолатдан сегнетик ҳолатга фазовий ўтиш мос равишда 230°, 360° ва 38° да содир бўлади. Баъзи қаттиқ бирикмалар асосидаги Антисегнетоэлектрикларнинг диэлектрик ва пьезоэлектрик кўрсаткичлари яхши бўлганлиги учун электрон техникада кенг иш-латилади (чизиқсиз оптик материал сифатида лазер техникасида; ёруғлик нурини бошқариш учун электрооптик қурилмаларда, паст частотали, катта солиштирма сиғимга эга бўлган конден-саторларни и. ч. да; ҳисоблаш техникасида хотира элементи сифатида; диэлектрик кучайтиргичларда, модуляторлар ва б. қурилмаларда ишлатилади).